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这颗芯片能为您做什么？它能让您的网络设备数据转发更高效，工业控制器的实时响应更敏捷，消费电子产品的多任务运行更流畅。其仅700ps的访问时间和2.3V~2.7V的低电压工作特性，在提升速度的同时兼顾了能效，帮助您轻松打造出性能与稳定性兼备的优秀产品。

• 型号:MT46V64M8BN-6:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-6:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。