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还在寻找一颗能扛得住极端环境、让您的设备数据存储高枕无忧的闪存芯片吗？MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR就是您的答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，专为 demanding 应用而设计，其工业级温度范围（-40°C ~ 85°C）和宽电压供电（2.7V ~ 3.6V），让您的产品无论面对严寒酷暑还是电压波动，都能确保数据存储的绝对稳定。

它采用高效的并联接口和128M x 8的架构，能为您提供快速的数据读写通道，显著提升系统响应速度。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，让您轻松实现高密度PCB板设计，节省宝贵空间。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或高端消费电子项目，选择了一份经久耐用的可靠性保障。

• 型号:MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。