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您正在寻找一颗能够扛起海量数据存储重任，并确保系统流畅高效运行的核心芯片吗？MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的64Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能以高达83MHz的时钟频率进行数据交换，让您轻松应对大数据流的读写需求，瞬间释放您设备的性能潜力。

它采用100-TBGA表面贴装封装，集成度高，节省宝贵的板卡空间。宽达2.7V~3.6V的工作电压范围和0°C~70°C的工业级温度适应能力，赋予了它出色的环境适应性和可靠性。无论是用于需要稳定存储的工业控制设备、网络通信装置，还是其他高端嵌入式系统，它都能提供坚实、高效的存储基石，让您的设计更稳健，产品更具竞争力。

• 型号:MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-TBGA
• 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
• MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。