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您正在寻找一颗能扛起数据存储重任、让系统运行更稳健的核心芯片吗？MT29F8G08ABACAH4-S:C TR正是这样一位可靠的“老将”。它是一颗8Gb容量、采用并联接口的NAND闪存，能为您提供高效的非易失性存储方案，确保设备断电后数据依然安全无虞。

这颗芯片能在广泛的2.7V~3.6V电压下稳定工作，让您的电源设计更具灵活性。其表面贴装的63-VFBGA封装，帮助您实现紧凑的PCB布局。无论是用于升级现有设备，还是为成熟稳定的产品线提供延续性支持，它都能让您轻松集成，高效完成数据存储任务，是追求可靠性与成本效益平衡的绝佳选择。

• 型号:MT29F8G08ABACAH4-S:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G08ABACAH4-S:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。