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还在为设备的内存性能瓶颈寻找突破吗？让MT41K2G4RKB-107:N为您开启高效数据处理的闸门。这颗美光科技的8Gb DDR3L SDRAM芯片，凭借933MHz的高时钟频率与仅20ns的访问时间，能显著提升您系统的数据吞吐速率，让多任务运行和实时响应变得无比流畅。

它采用低功耗的1.35V供电，在保证强劲性能的同时，有效控制能耗与发热，特别适合对能效和稳定性有高要求的嵌入式系统、网络设备及工业控制应用。其2G x 4的并行架构和可靠的78-TFBGA封装，让您能轻松集成，并确保产品在复杂环境下长期稳定工作。

• 型号:MT41K2G4RKB-107:N
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K2G4RKB-107:N，Micron（美光）产品一站式供应商。