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还在为嵌入式系统寻找一颗既强劲又省电的“记忆大脑”吗？MT48H8M32LFB5-75 AT:H就是您的理想之选。这颗美光移动低功耗SDRAM，拥有256Mb（8M x 32）的并行存储容量，能以高达133MHz的速度高效处理数据，同时其1.7V~1.95V的低电压特性让系统功耗大幅降低，轻松延长设备续航。

更重要的是，它能陪伴您的产品征服各种极端环境。从-40°C的冰点到105°C的高温，这颗芯片都能稳定运行，确保您的工业设备、汽车电子或便携终端在任何挑战下都响应迅速、表现可靠。其紧凑的90-VFBGA封装，更能帮您优化电路板设计，节省空间，让产品集成度更高。

• 型号:MT48H8M32LFB5-75 AT:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:8M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5.4 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT48H8M32LFB5-75 AT:H，Micron（美光）产品一站式供应商。