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还在为嵌入式系统寻找一颗强劲、可靠的“数据心脏”吗？MT47H64M8SH-25E AIT:H TR正是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM，拥有64M x 8的存储架构，能以高达400MHz的速度并行处理数据，让您的设备实现闪电般的响应与高效的数据吞吐。

它专为严苛环境打造，支持-40°C到95°C的宽温工作范围，并适应1.7V~1.9V的供电电压波动，确保在工业控制、汽车电子、通信设备等关键应用中稳定运行。其紧凑的60-TFBGA表面贴装封装，更能帮助您优化电路板空间，轻松集成到各类高性能设计中。

• 型号:MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8SH-25E AIT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。