我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾大容量、高可靠性与出色性能的存储核心吗？MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的4Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能为您的高速设备提供流畅的数据读写体验，轻松应对海量信息处理需求。

它能在-40°C至85°C的严苛温度范围内稳定工作，并支持2.7V~3.6V的宽电压，让您的工业控制、汽车电子或高端消费类产品无惧环境挑战。其紧凑的63-VFBGA封装更便于您的电路板设计集成，帮助您高效打造出更小巧、更强大的终端设备。

• 制造商产品型号：MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。