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还在为系统数据处理的延迟和带宽限制而烦恼吗？MT49H16M36FM-25E:B TR正是您提升性能的得力助手。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，拥有高达400MHz的时钟频率和仅15ns的访问时间，能瞬间响应您的指令，让数据吞吐变得前所未有的高效流畅，彻底释放您系统的潜能。

它采用1.7V~1.9V的低电压设计，有效帮助您降低整体功耗，同时其宽温工作特性（0°C ~ 95°C）确保了在各种严苛环境下的稳定运行。无论是用于加速网络设备的数据交换，还是增强工业控制系统的实时处理能力，它都能让您的设计轻松应对高负载挑战，实现更可靠、更高效的产品表现。

• 制造商产品型号：MT49H16M36FM-25E:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：DRAM
• 存储容量：576Mb（16M x 36）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：400MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：15ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：144-TFBGA
• MT49H16M36FM-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。