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MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
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MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR 规格参数

还在为设备的多任务处理能力和响应速度而烦恼吗?MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR正是您期待的答案。这颗美光科技的32Gb LPDDR4移动内存芯片,能以高达1866MHz的速度高效运转,为您的高端移动和嵌入式设备提供海量、迅捷的数据通道。

它能让您的智能手机流畅运行最复杂的应用程序和游戏,让您的平板电脑轻松进行4K视频编辑,也能为车载系统或工业设备提供稳定可靠的高速缓存支持。其1.1V的低电压设计显著优化了功耗,帮助您延长终端设备的续航时间。选择它,就是选择了一种让产品性能飞跃、用户体验升级的轻松路径。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 556WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:556-WFBGA
  • MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR 基本参数:

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