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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M18CBM-25 IT:B TR为您开启高效数据处理的新篇章。这颗576Mb容量的并行DRAM，凭借400MHz的时钟频率，能轻松应对高速数据缓存和实时传输的严苛要求，让您的系统运行如行云流水般顺畅。

它采用先进的1.8V左右低电压核心供电，不仅功耗表现优异，其宽广的-40°C至85°C工业级温度范围，更能让您的设备在极端环境下依然稳定可靠。无论是嵌入到通讯基站、工业控制器还是汽车电子模块中，它都能成为您最值得信赖的数据仓库，助您构建更强大、更耐用的产品。

• 型号:MT49H32M18CBM-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18CBM-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。