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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V32M8CY-5B:M TR为您注入强劲的数据动能！这颗来自美光科技的256Mb DDR SDRAM芯片，采用高效的32M x 8位宽并联架构，能以高达200MHz的时钟频率飞速运转。这意味着它能轻松胜任处理器与外部存储之间的高速数据桥梁角色，让您的应用在处理大量实时数据时依然流畅自如，彻底告别卡顿与等待。

更令人安心的是，它专为稳定可靠的持续运行而设计。2.5V~2.7V的低功耗供电帮助您优化系统能效，而0°C至70°C的工业级工作温度范围则确保了它在大多数环境下都能保持出色状态。无论是集成到工业控制器、通信模块还是其他需要持久稳定内存支持的设计中，它都能提供一致且值得信赖的性能表现，让您专注于核心功能的创新，而无需为内存的稳定性担忧。

• 型号:MT46V32M8CY-5B:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V32M8CY-5B:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。