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您是否渴望为您的移动设备注入一颗强大且高效的内存心脏？MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR正是您期待的答案。这颗美光32Gb LPDDR4 DRAM，以1600MHz的高频和512M x 64的架构，为您带来疾速的数据读写体验，轻松应对多任务处理与大型应用负载，显著提升系统响应速度。

更重要的是，它专为能效而生。1.1V的低工作电压结合LPDDR4的先进技术，让您在享受高性能的同时，显著降低系统功耗，有效延长电池续航。其紧凑的432-VFBGA封装和宽广的工作温度范围（-30°C ~ 85°C），让您可以自信地将其集成到从智能手机、平板电脑到车载系统、工业设备等各种空间受限且环境要求严苛的设计中，实现性能与可靠性的完美统一。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 432VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：432-VFBGA
• MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。