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您是否在寻找一颗能同时兼顾大容量、高速度与低功耗的可靠存储核心？MT29F4G08ABBDAH4:D TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的4Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，能让您的设备实现高效的数据读写，轻松应对操作系统、应用程序及多媒体文件的存储挑战。

它工作在1.7V~1.95V的低电压下，显著优化系统功耗，特别适合对续航有要求的便携产品。其紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，而0°C至70°C的宽温工作范围，则确保了从消费电子到工业领域各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的设计注入一份经久耐用的存储保障。

• 型号:MT29F4G08ABBDAH4:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABBDAH4:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。