我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的内存性能无法匹配您的创新构想而发愁吗？让MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B来打破瓶颈！这颗来自美光科技的16Gb Mobile LPDDR4 DRAM芯片，以其2133MHz的高频和256M x 64的位宽，为您构建起一条数据高速公路，让您的应用程序能够极速存取信息，大幅提升系统响应速度和多任务处理能力。

它不仅仅追求速度，更注重能效与可靠。1.1V的低工作电压帮助您有效管理设备功耗，而宽广的-30°C ~ 105°C工作温度范围，则确保了它在各种极端环境下都能稳定工作，让您的产品设计无所畏惧。选择它，就是为您的下一代移动计算、汽车电子或工业设备，选择了一个高效、可靠的核心动力源。

• 制造商产品型号：MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（256M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B，Micron（美光）产品一站式供应商。