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还在为嵌入式系统寻找一颗“恰到好处”的内存芯片吗？MT46V128M4FN-6:F TR就是您的高效之选。这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM，能以167MHz的时钟频率和并联接口，为您的主控芯片提供快速、稳定的数据交换通道，轻松应对实时数据处理、缓冲存储等关键任务，显著提升系统响应速度。

它采用2.3V~2.7V低电压供电和紧凑的60-TFBGA封装，在保证性能的同时，有效帮助您降低系统功耗、节省电路板空间。无论是网络设备、工业控制器还是其他需要可靠内存支持的场景，它都能让您的设计更稳健、更高效。选择它，就是为您的产品注入一份经过市场验证的可靠动力。

• 型号:MT46V128M4FN-6:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V128M4FN-6:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。