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您是否渴望为您的嵌入式设备找到一颗强大而可靠的数据心脏？MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E正是您期待的答案。这颗来自美光科技的1Gb并行NAND闪存芯片，能够为您提供稳定、非易失的数据存储解决方案，确保您设备中的关键信息永不丢失。

它采用高效的1.7V~1.95V低电压运行，帮助您轻松实现节能设计，同时其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑，在各种苛刻环境下都能保持高效、可靠的运行。紧凑的63-VFBGA封装更便于您进行高密度的电路板布局，简化生产流程，加速产品上市。

• 型号:MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E，Micron（美光）产品一站式供应商。