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还在为系统内存带宽不足而限制创新吗？MT44K64M18RB-093F:A TR是您突破性能瓶颈的利器。这颗美光RLDRAM 3存储器，拥有1.125Gb容量和高达1067MHz的运行频率，能为您的高速网络设备、通信基础设施及高性能计算应用提供极速的数据读写支持，让海量信息处理变得行云流水。

它采用并联接口和先进的架构，访问时间低至7.5ns，能显著降低延迟，提升系统响应速度。1.28V至1.42V的工作电压兼顾了性能与能效，0°C~95°C的宽温范围则确保了在各种严苛环境下的稳定运行。选择它，就是为您的核心设备装备一颗强劲、可靠的“数据心脏”，轻松应对未来挑战。

• 型号:MT44K64M18RB-093F:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:7.5 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-093F:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。