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还在为设备的内存性能而妥协吗？MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR就是您期待的答案。这颗美光科技的8Gb移动LPDDR4 DRAM，以高达2.133GHz的疾速频率和32位的宽总线，为您构建起一条数据高速公路，让您的应用能够轻松处理高分辨率视频、复杂图形和即时多任务，彻底告别延迟与卡顿。

它采用先进的0.6V/1.1V低电压设计，在释放澎湃性能的同时，显著降低功耗，让您的移动设备或嵌入式系统续航更持久。其表面贴装的200-WFBGA超薄封装，节省了宝贵的电路板空间，助力实现更紧凑、更时尚的产品设计。无论是面对-40°C的严寒还是95°C的高温，它都能稳定运行，确保您的产品在各种环境下都值得信赖。选择它，就是选择高效、可靠与卓越。

• 型号:MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。