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还在为高速数据缓冲寻找既经济又高效的解决方案吗？MT45W4MW16BFB-856 WT F TR这颗64Mb并行PSRAM芯片，就是您的理想答案。它采用创新的伪SRAM技术，为您提供了类似SRAM的简易接口，却拥有DRAM级的高密度和成本优势，让您无需复杂的外部刷新电路，即可轻松实现高速数据读写。

这颗芯片能为您做什么？它能以高达85ns的访问速度，成为您嵌入式系统中实时处理任务的强力后盾。无论是图形显示缓冲、语音数据处理还是通信协议栈运行，它都能确保数据流转高效顺畅。其1.7V~1.95V的低电压工作特性，特别适合电池供电的便携设备，帮助您显著延长产品续航。选择它，就是选择了一种简化设计、提升性能并优化成本的聪明路径。

• 制造商产品型号：MT45W4MW16BFB-856 WT F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：PSRAM
• 技术：PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：85ns
• 访问时间：85ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：54-VFBGA
• MT45W4MW16BFB-856 WT F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。