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它采用经典的并行接口，让您的主控芯片能够轻松、快速地访问数据，简化您的驱动开发工作。宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，意味着它能从容应对工业、车载及户外等各种复杂环境，确保您的产品在任何条件下都运行如常。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的存储保障。

• 型号:MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。