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还在为系统卡顿、数据吞吐不畅而烦恼吗？让MT41J256M8JE-187E:A为您注入澎湃动力！这颗来自美光科技的2Gb DDR3 SDRAM芯片，凭借533MHz的高时钟频率和仅13.125ns的快速访问时间，能显著提升您设备的响应速度与多任务处理能力，让数据流转如行云流水般顺畅。

它采用成熟的并联接口和256M x 8的经典组织架构，兼容性广，易于集成到您的各类嵌入式系统、工业控制或网络通信设备中。其宽电压（1.425V~1.575V）与宽温（0°C~95°C）工作特性，确保了在各种复杂环境下的稳定性和可靠性，让您的产品设计更从容，性能表现更出色。

• 型号:MT41J256M8JE-187E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:82-FBGA（12.5x15.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 82FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.125 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:82-FBGA
• 供应商器件封装:82-FBGA（12.5x15.5）
• MT41J256M8JE-187E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。