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MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR 零件图片(仅供参考)

MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR
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MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR 规格参数

还在为寻找一颗能同时满足海量存储与极速响应的核心芯片而烦恼吗?MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的6Tb并行NAND闪存,能以高达267MHz的时钟频率迅猛处理数据,让您的设备轻松驾驭庞大的信息流,实现前所未有的高效运行。

它采用可靠的并联接口与非易失存储技术,确保数据持久安全。宽达2.7V~3.6V的工作电压与0°C~70°C的适应范围,更让它在各种复杂应用场景中都能稳定发挥。选择它,就是为您的企业级存储、高性能计算或多媒体处理系统,注入一颗强劲而可靠的心脏。

  • 制造商产品型号:MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 6TB PARALLEL 267MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:6Tb(768G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR 基本参数:

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