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还在为设备的数据处理瓶颈而烦恼吗？让MT46H64M32LFBQ-48 WT:C为您开启高效新篇章。这颗2Gb容量的移动LPDDR DRAM，凭借其208MHz的高时钟频率和并联接口，能为您提供强大的数据吞吐能力，轻松应对图形渲染、实时数据采集和多任务处理等需求，确保系统响应如行云流水。

它采用先进的低功耗设计，工作电压低至1.7V-1.95V，能显著优化设备的能效表现，延长电池寿命。同时，其宽温工作特性（-25°C ~ 85°C）和紧凑的90-VFBGA封装，让您能够自信地将其部署于工业控制、便携医疗、车载电子等各种要求严苛的应用场景中，实现性能与可靠性的完美平衡。

• 型号:MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:208 MHz
• 写周期时间 - 字，页:14.4ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H64M32LFBQ-48 WT:C，Micron（美光）产品一站式供应商。