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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29F512G08CMEABH7-12:A TR这颗512Gb大容量NAND闪存芯片，就是为您破解难题的关键。它采用高效的并联接口，能以83MHz的时钟频率高速运作，让您的系统实现快速的数据读写与访问，显著提升整体响应效率。

无论是用于需要大量数据暂存的高清视频处理设备，还是作为工业控制系统的可靠存储单元，它宽泛的工作电压（2.7V-3.6V）与温度范围（0°C-70°C）都能轻松适应，确保在各种环境下稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一个经过验证、值得信赖的数据基石，让您的设计更高效，性能更出众。

• 型号:MT29F512G08CMEABH7-12:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-TBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-TBGA
• 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
• MT29F512G08CMEABH7-12:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。