我们为全球各个行业提供Micron（美光） NAND16GW3D2BN6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？NAND16GW3D2BN6E正是您理想的解决方案。这颗由美光科技打造的16Gb并行NAND闪存，旨在为您提供海量、高速且稳定的数据存储能力。其2G x 8的组成结构，配合25ns的极速访问时间，能让您的设备实现高效的数据读写，彻底告别卡顿与等待。

无论是面对工业环境的温度极限，还是需要满足消费电子对功耗的精细要求，它2.7V~3.6V的宽电压范围和-40°C ~ 85°C的宽温工作能力，都让您的设计游刃有余。选择它，就是为您的产品选择了一个经久耐用、性能卓越的数据仓库，轻松应对各种复杂应用场景的存储挑战。

• 制造商产品型号：NAND16GW3D2BN6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 16GBIT PARALLEL 48TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：16Gb（2G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：25ns
• 访问时间：25ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• NAND16GW3D2BN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。