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您正在寻找一颗能大幅提升系统数据吞吐能力的核心存储器吗？MT47H64M16HR-25E L:H TR正是您的高效之选。这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM芯片，以高达400MHz的时钟频率和极快的访问速度，让您的设备能够轻松应对海量数据的实时读写需求，彻底告别卡顿与延迟。

它采用低至1.7V~1.9V的供电电压和宽温设计，确保在各种严苛环境下稳定运行，功耗与可靠性表现俱佳。其紧凑的84-TFBGA封装，让您能更灵活地进行电路板设计，实现产品的小型化与高性能的完美结合。选择它，就是为您的嵌入式系统、工业控制或网络设备注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。

• 型号:MT47H64M16HR-25E L:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16HR-25E L:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。