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您正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？MT29F4G16ABAEAH4-IT:E正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，拥有256M x 16位的强大存储架构，能轻松容纳复杂的系统固件、海量应用数据，为您的嵌入式设备提供坚实的数据底座。

它采用宽电压设计（2.7V~3.6V），并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，让您的设备无论面对供电波动还是严寒酷暑，都能保持高效稳定的运行。紧凑的63-VFBGA封装更便于您的电路板布局，实现产品的小型化与高可靠性设计。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的存储心脏。

• 型号:MT29F4G16ABAEAH4-IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABAEAH4-IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。