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您正在为您的嵌入式设备寻找一颗高速、可靠的数据存储核心吗？M29W800DB70ZE6F TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的8Mb并行NOR闪存，拥有70ns的极速访问与写入周期，能让您的系统启动更快，数据存取更高效。其宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，确保它在严苛的工业与汽车环境中依然稳定运行。

无论是存储关键的系统固件，还是记录实时运行数据，它1M x 8/512K x 16的灵活配置都能轻松满足您的需求。紧凑的48-TFBGA封装更节省您的PCB空间。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的持久动力与可靠性。

• 型号:M29W800DB70ZE6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
• M29W800DB70ZE6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。