我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT48H8M32LFB5-6:H TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统的内存性能与功耗平衡而烦恼吗？让MT48H8M32LFB5-6:H TR为您提供高效解决方案！这颗美光出品的移动低功耗SDRAM，拥有256Mb（8M x 32）的并行存储容量，能以高达166MHz的速度处理数据，访问时间快至5ns，确保您的应用响应迅捷如飞。

更重要的是，它专为能效优化而生，工作电压范围仅为1.7V至1.95V，能显著降低系统整体功耗，延长便携设备的电池续航。其90-VFBGA小型化封装，非常适合空间受限的紧凑型设计，让您轻松实现高性能与长续航的完美结合，为您的工业控制、移动终端或车载设备注入强劲且持久的动力核心。

• 制造商产品型号：MT48H8M32LFB5-6:H TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量：256Mb（8M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：166MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：90-VFBGA
• MT48H8M32LFB5-6:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。