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您是否在寻找一颗能扛起数据存储重任、让系统运行更稳健的核心芯片？MT29F16G08ADACAH4:C TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的16Gb并行NAND闪存，拥有2G x 8的存储组织架构，能为您的高速设备提供海量、非易失的数据存储空间，确保关键信息在断电后依然完好无损。

它采用2.7V~3.6V宽电压设计和工业级温度范围，让您的产品即使在复杂的供电环境或0°C至70°C的工作条件下，也能保持高效稳定的数据读写性能。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，助力您轻松实现高密度的PCB布局，节省宝贵空间。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或消费电子应用，选择一个久经考验、性能可靠的存储基石。

• 型号:MT29F16G08ADACAH4:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:2G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F16G08ADACAH4:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。