我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT44K32M18RB-125E IT:A现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据吞吐能力不足而发愁吗？让MT44K32M18RB-125E IT:A为您彻底解决这一难题。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM芯片，就像一个高效的数据中转站，凭借800MHz的高时钟频率和仅10ns的快速访问时间，能让您的主处理器毫无延迟地存取海量数据，显著提升整个系统的运行效率和响应速度。

它采用先进的1.28V~1.42V低电压设计，不仅节能高效，更具备工业级的强悍体质，可在-40°C至95°C的极端温度范围内稳定工作。无论是安装在紧凑的168-TBGA封装内进行表面贴装，还是应对复杂电磁环境，它都能让您的产品设计更加从容，轻松满足工业控制、汽车电子、网络设备等高要求应用场景，是您打造高性能、高可靠性产品的理想存储伙伴。

• 制造商产品型号：MT44K32M18RB-125E IT:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：DRAM
• 存储容量：576Mb（32M x 18）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：800MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：10ns
• 电压-供电：1.28V ~ 1.42V
• 工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-TBGA
• MT44K32M18RB-125E IT:A，Micron（美光）产品一站式供应商。