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MT29F8G08MAAWC-ET:B TR 零件图片(仅供参考)

MT29F8G08MAAWC-ET:B TR
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MT29F8G08MAAWC-ET:B TR 规格参数

还在寻找一颗能兼顾大容量、高可靠性与设计便捷性的核心存储芯片吗?MT29F8G08MAAWC-ET:B TR正是为您而来的解决方案。这颗美光出品的8Gb NAND闪存,采用成熟的并联接口,让您的系统能够高效地进行数据吞吐,轻松应对大量数据的实时读写需求。

它为您提供了宽电压(2.7V-3.6V)和宽温(-40°C至85°C)的强力支持,确保您的设备即使在电力环境复杂或气候多变的户外及工业场景中,也能稳定运行,数据存储万无一失。其标准的48-TSOP封装让您的PCB设计更灵活,集成更轻松,助您快速将产品推向市场,赢得先机。

  • Micron美光半导体完整型号:MT29F8G08MAAWC-ET:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 8GBIT 48TSOP
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:闪存
  • 存储器类型:闪存 - NAND
  • 存储容量:8G(1G x 8)
  • 速度:-
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP(18.4x12)
  • MT29F8G08MAAWC-ET:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F8G08MAAWC-ET:B TR 基本参数:

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