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还在为设备的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR将彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的1.5Tb大容量并行NAND闪存芯片，专为应对海量数据的高速读写而设计。其333MHz的高时钟频率与并联接口，能为您的高端服务器、存储阵列或网络设备注入澎湃动力，让数据处理变得前所未有的轻松与高效。

它采用先进的272-VFBGA表面贴装封装，在提供惊人存储空间的同时，保持了极佳的板卡布局灵活性。宽电压（2.5V~3.6V）支持和0°C至70°C的工业级工作温度范围，确保了它在各种复杂环境下的稳定性和可靠性。选择它，就是为您的核心设备选择了一个坚实、可靠的数据基石，让您专注于创新与业务拓展，而无须担忧存储性能的后顾之忧。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
• MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。