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您是否正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的内存解决方案？MT41K512M16TNA-107:E正是为您而来。这颗美光出品的8Gb DDR3L SDRAM芯片，拥有高达933MHz的运行频率和仅20ns的访问时间，能让您的应用程序和数据传输变得无比迅捷，彻底告别卡顿与延迟，为用户带来流畅极致的体验。

它采用先进的低电压技术（1.283V-1.45V），在为您提供强大动力的同时，显著降低系统整体能耗与发热，特别适合对功耗敏感的高性能嵌入式设计。无论是工业控制、网络通信还是高端消费电子，它都能轻松融入，以其512M x 16的并行架构和宽温工作特性（0°C ~ 95°C），确保您的产品在各种环境下稳定、高效地运行，让您的设计更具市场竞争力。

• 型号:MT41K512M16TNA-107:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（10x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
• MT41K512M16TNA-107:E，Micron（美光）产品一站式供应商。