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还在为嵌入式系统寻找一颗坚实可靠的“记忆核心”吗？M29W128GL7AZS6E就是您理想的解决方案。这颗美光128Mb并行NOR闪存芯片，能为您的重要代码和数据提供一个高速、稳定的家。其70ns的快速访问时间，让系统启动和程序执行更加迅捷；宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，则确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您无惧挑战。

无论是工业控制器的固件存储，还是汽车电子中的关键参数记录，M29W128GL7AZS6E都能轻松胜任。它采用可靠的表面贴装64-LBGA封装，非易失的特性保证断电后数据万无一失。选择它，就是为您的产品选择了一份历经验证的可靠性与高效性能，助您轻松构建更稳定、更耐用的终端设备。

• 制造商产品型号：M29W128GL7AZS6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：128Mb（16M x 8，8M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-LBGA
• M29W128GL7AZS6E，Micron（美光）产品一站式供应商。