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您正在为项目寻找一颗性能强劲且功耗经济的存储解决方案吗？MT48H8M16LFB4-8 TR正是您理想的伙伴。这颗128Mb移动低功耗SDRAM，拥有125MHz的高时钟频率和仅7ns的极速访问时间，能轻松应对图形处理、数据缓冲等高带宽需求，让您的系统运行如飞。

它采用1.7V~1.9V的低电压工作，显著降低整体功耗，特别适合便携式设备和注重能效的嵌入式应用。其54-VFBGA小型化封装和表面贴装设计，更能帮助您优化PCB布局，实现产品的小型化与高集成度。选择它，就是为您的产品选择了高效、稳定与可靠的数据核心。

• 制造商产品型号：MT48H8M16LFB4-8 TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量：128Mb（8M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：125MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：7ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：54-VFBGA
• MT48H8M16LFB4-8 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。