我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT41K512M8RH-125 XIT:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时满足高性能、低功耗与高可靠性的内存解决方案？MT41K512M8RH-125 XIT:E TR正是为此而生。这颗美光出品的4Gb DDR3L SDRAM芯片，采用先进的工艺技术，让您的系统轻松获得800MHz的高速数据交换能力，而1.35V的低电压运行则显著优化了整体功耗，助您打造能效比出众的产品。

它不仅仅是一颗内存芯片，更是您系统流畅运行的保障。其13.75ns的快速访问时间和并联接口，确保了数据读写的极速响应，能有效提升应用程序的加载速度和多任务处理效率。无论是处理复杂的图形数据，还是应对实时性要求高的控制指令，它都能稳定高效地完成任务。

更令人放心的是，其宽达-40°C至95°C的工作温度范围和紧凑的78-TFBGA封装，让它能够从容应对工业、汽车、通信等各类严苛环境。选择它，就是为您的核心设计注入一颗强劲而稳定的“心脏”，让产品性能表现始终如一。

• 型号:MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 XIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。