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更重要的是，它采用先进的低电压技术（1.283V~1.45V），在提供强劲性能的同时，显著降低功耗，让您的设备续航更持久，运行更凉爽。其坚固的78-TFBGA表面贴装封装和宽达-40°C至95°C的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，极大提升了您产品的可靠性与适应性。选择它，就是为您的设计选择了高效、可靠与能效的完美结合。

• 型号:MT41K512M8DA-107 XIT:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K512M8DA-107 XIT:P TR，Micron（美光）产品一站式供应商。