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还在为系统响应速度而焦虑吗？MT44K32M18RB-093E:A就是您期待的答案。这颗576Mb并行DRAM芯片，专为榨干处理器每一分性能而设计。它以1067MHz的高速时钟和仅8ns的闪电般访问时间，确保数据流畅通无阻，让您轻松应对最严苛的实时数据处理任务。

它能让您的高端嵌入式系统，无论是工业控制、通信基础设施还是专业音视频设备，都获得持续稳定的高带宽内存支持。其1.28V至1.42V的低电压运行和宽温工作特性，进一步保障了系统在各种环境下的可靠性与能效。选择它，就是为您的核心设计注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:MT44K32M18RB-093E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-093E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。