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MT40A8G4BAF-062E:B TR 零件图片(仅供参考)

MT40A8G4BAF-062E:B TR
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MT40A8G4BAF-062E:B TR 规格参数

还在为系统内存性能不足而困扰吗?MT40A8G4BAF-062E:B TR正是您期待的解决方案。这颗32Gb容量的DDR4并行闪存芯片,凭借1.6GHz的高时钟频率,能为您的高速计算设备提供惊人的数据吞吐带宽,让海量数据流转从此轻松无阻。

它采用先进的TwinDie架构,在提升存储密度的同时,保证了信号的完整性。其低至1.14V~1.26V的工作电压,让您在享受极致性能时,无需为功耗过度担忧。无论是构建下一代服务器、高端图形系统还是AI加速平台,它都能成为您系统中高效、可靠的内存核心,助您轻松应对最复杂的应用挑战。

  • 制造商产品型号:MT40A8G4BAF-062E:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:TwinDie
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:32Gb(8G x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6GHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:13.75ns
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:78-TFBGA
  • MT40A8G4BAF-062E:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT40A8G4BAF-062E:B TR 基本参数:

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