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还在寻找一颗能同时满足大容量与高速度需求的存储核心吗？MT29F256G08CJABBWP-12:B TR就是您的理想答案。这颗256Gb（32GB）的并行NAND闪存芯片，能以83MHz的时钟频率高速处理数据，让您的设备在存取大型文件或运行复杂程序时，告别等待，体验流畅如飞的高效。

它采用2.7V~3.6V宽电压设计，兼容性强，功耗控制出色，并能在0°C至70°C的常规温度范围内稳定工作。无论是用于数据记录、系统启动，还是多媒体内容存储，它都能为您提供坚实可靠的存储基础。其并联接口和表面贴装形式，让您的电路设计更简单，集成更轻松，助您快速将产品推向市场。

• 型号:MT29F256G08CJABBWP-12:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F256G08CJABBWP-12:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。