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当您的设计需要处理海量数据并保持闪电般的响应速度时，MT41K512M8RH-125 AAT:E 就是您系统的强大后盾。这颗美光4Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达800MHz的速度运行，访问时间低至惊人的13.75ns，让您的应用程序摆脱内存带宽瓶颈，运行如飞。

它不仅仅追求速度，更注重在严酷环境下的稳定表现。其宽广的-40°C至105°C工作温度范围，让您的设备无惧极端气候挑战，无论是炎热的户外基站还是寒冷的工业现场，都能可靠工作。1.35V的低电压设计，在提升性能的同时有效控制功耗，助您打造更节能高效的产品。选择它，就是为您的关键系统选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:MT41K512M8RH-125 AAT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 AAT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。