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还在为系统卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT40A512M16LY-062E AIT:E TR为您带来颠覆性的体验！这颗美光DDR4 SDRAM芯片，内置8Gb超大容量，配合高达1.6GHz的疾速时钟，能瞬间满足您对海量数据高速读写的所有想象，让您的应用运行如飞，响应快人一步。

它采用先进的低电压设计（1.14V~1.26V），在为您提供强劲性能的同时，显著优化系统能效，助力打造更绿色、更持久的产品。其宽广的-40°C至95°C工作温度范围，确保无论是在严寒户外还是高温机箱内，都能稳定可靠地工作，让您无惧任何环境挑战，轻松部署于工业控制、汽车电子、网络通信等关键领域。

• 型号:MT40A512M16LY-062E AIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• MT40A512M16LY-062E AIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。