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它基于美光先进的闪存技术，拥有333MHz的高时钟频率和并联接口，数据吞吐能力强劲。无论是用于加速服务器响应，还是存储工业设备产生的大量日志与媒体文件，它都能轻松胜任。其宽电压范围和工业级工作温度设计，更确保了在各种应用环境下的稳定表现，让您的产品设计更自由，运行更安心。

• 型号:MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B，Micron（美光）产品一站式供应商。