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还在为关键系统的代码存储寻找一个既快速又可靠的解决方案吗？让M29F400FB55M3F2 TR来担当重任！这颗由美光科技出品的4Mb并行NOR闪存芯片，能以55ns的极速访问时间，让您的处理器高效读取指令与数据，显著提升系统响应能力。

它为您提供灵活的组织方式（512K x 8位或256K x 16位），并拥有从-40°C到125°C的广阔工作温度范围，确保在极端环境下数据依然稳固如山。其非易失特性让您无需担心断电丢失，宽电压供电（4.5V~5.5V）则让设计更从容。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或通信设备项目，选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:M29F400FB55M3F2 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
• M29F400FB55M3F2 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。