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EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR 零件图片(仅供参考)

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR 规格参数

还在寻找能让您的嵌入式系统既“跑得快”又“吃得少”的内存解决方案吗?EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR正是您期待的答案。这颗美光4Gb移动LPDDR2 DRAM,凭借533MHz的高效时钟和并行接口,能瞬间响应处理需求,大幅提升系统数据吞吐效率,让您的应用运行如行云流水般顺畅。

更令人心动的是,它专为能效而生。宽广的工作电压范围与低功耗技术相结合,让您在获得高速性能的同时,无需为续航担忧。无论是面对-40°C到85°C的严苛环境挑战,还是紧凑的电路板空间限制,其工业级温度范围和216-WFBGA小型化封装都能轻松应对,为您的产品设计赋予强大的可靠性与灵活性,助您打造出更具市场竞争力的智能设备。

  • 型号:EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:216-WFBGA(12x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:64M x 64
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:216-WFBGA
  • 供应商器件封装:216-WFBGA(12x12)
  • EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR 基本参数:

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