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还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗既能扛住压力又省电的内存芯吗？MT41K256M16V80AWC1正是您的理想答案。这颗来自美光科技的4Gb DDR3L DRAM芯片，采用低至1.35V（典型）的供电电压，能显著为您降低系统整体功耗，同时其宽广的0°C至95°C工作温度范围，确保设备在多种环境下都能稳定高效运行。

它拥有256M x 16的并联架构，为您提供宽大的数据通道，让数据存取如行云流水般顺畅。无论是用于加速工业控制器的响应，还是提升网络交换机的数据吞吐能力，它都能让您的设计轻松应对高负载挑战，实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:MT41K256M16V80AWC1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT41K256M16V80AWC1，Micron（美光）产品一站式供应商。