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MT29F128G08CBCBBH6-6R:B 零件图片(仅供参考)

MT29F128G08CBCBBH6-6R:B
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MT29F128G08CBCBBH6-6R:B 规格参数

还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗?让MT29F128G08CBCBBH6-6R:B来为您解决!这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片,是您实现海量数据高速、稳定存储的得力助手。其并联接口架构,能高效处理数据流,让您的系统运行更加流畅迅捷。

它为您提供了一个坚固可靠的数据基石。宽电压设计增强了环境适应性,标准的工业级温度范围确保在多种场景下稳定工作。无论是用于缓存、存储程序代码还是用户数据,它都能让您轻松构建高效、响应迅速的产品体验,显著提升终端设备的综合竞争力。

  • 型号:MT29F128G08CBCBBH6-6R:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:152-VBGA(14x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:128Gb
  • 存储器组织:16G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:152-VBGA
  • 供应商器件封装:152-VBGA(14x18)
  • MT29F128G08CBCBBH6-6R:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F128G08CBCBBH6-6R:B 基本参数:

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