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还在寻找能扛起海量数据存储重任的核心部件吗？MT29F512G08CKECBH7-12:C TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，能以高达83MHz的时钟频率高效运作，让您的系统实现快速的数据读写与访问，显著提升整体运行效率。

它为您提供的是一个稳定、可靠的存储基石。宽电压设计（2.7V~3.6V）使其能轻松适应不同的供电环境，而0°C至70°C的工作温度范围则确保了在多数工业与商业场景下的稳定表现。无论是嵌入式应用、网络设备还是需要大容量非易失存储的场合，它都能让您轻松构建高性能、高可靠性的存储解决方案，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:MT29F512G08CKECBH7-12:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-TBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-TBGA
• 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
• MT29F512G08CKECBH7-12:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。